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SQ2301ES-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SQ2301ES-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236 (SOT-23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 425pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 3497 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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