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IPN60R3K4CEATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPN60R3K4CEATMA1
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 93pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4611 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.43 $0.42 $0.41
Minimale: 1

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