Image is for reference only , details as Specifications

SIZF916DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIZF916DT-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH DUAL 30V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta), 40A (Tc)

Auf Lager 5750 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
HP8K24TB
ROHM Semiconductor
$0
SP8M21FRATB
ROHM Semiconductor
$0
NTLLD4901NFTWG
ON Semiconductor
$0
SIZ988DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0