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SIZ988DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIZ988DT-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 20.2W, 40W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PowerPair®
Gate Charge (Qg) (Max.) 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc), 60A (Tc)

Auf Lager 5958 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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