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SIZF906ADT-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SIZF906ADT-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
Auf Lager 40 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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