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SISF00DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SISF00DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 69.4W (Tc)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8SCD
Gate Charge (Qg) (Max.) 53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2700pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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