Image is for reference only , details as Specifications

SQJ912BEP-T1_GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SQJ912BEP-T1_GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 48W (Tc)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 60nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3000pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SIZ348DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQ4937EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
QH8M22TCR
ROHM Semiconductor
$0
NTMFD4C20NT1G
ON Semiconductor
$0
SQJ952EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0