SQJ912BEP-T1_GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SQJ912BEP-T1_GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 48W (Tc) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 11mOhm @ 9A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 60nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3000pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc) |
Auf Lager 3000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1