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SIZ200DT-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SIZ200DT-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH DUAL 30V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
Auf Lager 79 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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