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SIS903DN-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SIS903DN-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen III |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 42nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2565pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.96 | $0.94 | $0.92 |
Minimale: 1
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