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SISS30DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SISS30DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.25mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1666pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

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