SISS06DN-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SISS06DN-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | +20V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8S |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.38mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 77nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3660pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.12 | $1.10 | $1.08 |
Minimale: 1