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SISS06DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SISS06DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.38mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 77nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3660pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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