Image is for reference only , details as Specifications

SISH402DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SISH402DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1700pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.93 $0.91 $0.89
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NVMYS011N04CTWG
ON Semiconductor
$0.38
STL35N75LF3
STMicroelectronics
$0.38
NVMYS021N06CLTWG
ON Semiconductor
$0.38
SISH129DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NVMYS025N06CLTWG
ON Semiconductor
$0.37