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SISH129DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SISH129DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max.) 71nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3345pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 50 pcs

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