Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SH8K26GZ0TB
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SH8K26GZ0TB |
| Beschreibung: | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2W (Ta) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.9nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 280pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
Auf Lager 54 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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