SIR870DP-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIR870DP-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 84nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2840pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 8970 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1