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SI4434DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4434DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 155mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.56W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 5144 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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