SIR800DP-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIR800DP-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.3mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 133nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5125pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Auf Lager 8480 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1