Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSC010NE2LSIATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC010NE2LSIATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.05mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 59nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4200pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 25985 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDT86102LZ
ON Semiconductor
$0
FDMS8018
ON Semiconductor
$0
IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
$0
SI4896DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4401BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0