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SIR186DP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIR186DP-T1-RE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 57W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1710pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 95 pcs

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