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BSC12DN20NS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC12DN20NS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 680pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 94 pcs

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