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SIHD2N80E-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SIHD2N80E-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | E |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 62.5W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.6nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 315pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1401 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.35 | $1.32 | $1.30 |
Minimale: 1
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