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STU6N60M2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STU6N60M2
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II Plus
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Teilenummer STU6N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 13.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 232pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4149 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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