Image is for reference only , details as Specifications

SIE810DF-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIE810DF-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 10-PolarPAK® (L)
Gate Charge (Qg) (Max.) 300nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 13000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMN90H2D2HCTI
Diodes Incorporated
$1.64
STP70NF03L
STMicroelectronics
$1.62
STP26N60M2
STMicroelectronics
$1.62
STP14N80K5
STMicroelectronics
$1.62
2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.59