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DMN90H2D2HCTI

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN90H2D2HCTI
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ITO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 20.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1487pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 32 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.64 $1.61 $1.58
Minimale: 1

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