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SIB452DK-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIB452DK-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 190V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 135pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 36471 pcs

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