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SI4143DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4143DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.2mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 167nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6630pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 8603 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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