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SI8823EDB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8823EDB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen III
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-XFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 95mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 900mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 580pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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