DMN2600UFB-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN2600UFB-7 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-UFDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 540mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.85nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 70.13pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1