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DMN2600UFB-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN2600UFB-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 540mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.85nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 70.13pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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