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SI8457DB-T1-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8457DB-T1-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 19mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 93nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2900pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 1753 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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