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SSM6J503NU,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM6J503NU,LF
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 840pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 1865 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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