SSM6J503NU,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SSM6J503NU,LF |
Beschreibung: | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVI |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 32.4mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 840pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Auf Lager 1865 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.59 | $0.58 | $0.57 |
Minimale: 1