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SI8445DB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8445DB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 84mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-Microfoot
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

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