SI8445DB-T2-E1
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI8445DB-T2-E1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 84mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 4-Microfoot |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 700pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Auf Lager 89 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1