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SI7703EDN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI7703EDN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 800µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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