SI7911DN-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SI7911DN-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 1.3W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Basis-Teilenummer | SI7911 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 15nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.2A |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1