Image is for reference only , details as Specifications

SI7619DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI7619DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 21mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 86422 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
$0
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
$0
BSC093N04LSGATMA1
Infineon Technologies
$0
IRLL024NTRPBF
Infineon Technologies
$0
NTTFS5820NLTAG
ON Semiconductor
$0