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IRLL024NTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLL024NTRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 15.6nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 510pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 46357 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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