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SI6410DQ-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI6410DQ-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14mOhm @ 7.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 89 pcs

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