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SI5858DU-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI5858DU-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie LITTLE FOOT®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 520pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 68 pcs

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