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SI4967DY-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI4967DY-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 55nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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