SI4966DY-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SI4966DY-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 2W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Basis-Teilenummer | SI4966 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 50nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Auf Lager 86 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1