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SI4866BDY-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4866BDY-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 4.45W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 80nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5020pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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