SI1489EDH-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI1489EDH-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 48mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-363 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1