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SI4776DY-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SI4776DY-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 4.1W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 17.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 521pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 7380 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.61 | $0.60 | $0.59 |
Minimale: 1
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