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SSM3J35MFV,L3F
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SSM3J35MFV,L3F |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Verlustleistung (Max.) | 150mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | VESM |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 12.2pF @ 3V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100mA (Ta) |
Auf Lager 93 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Minimale: 1
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