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SI4388DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI4388DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 3.3W, 3.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer SI4388
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 946pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.7A, 11.3A

Auf Lager 81 pcs

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