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SI4310BDY-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI4310BDY-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.14W, 1.47W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 14-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2370pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.5A, 9.8A

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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