BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSZ086P03NS3GATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TSDSON-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 57.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4785pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 21127 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1