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SI3477DV-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI3477DV-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 90nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2600pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 2925 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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