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SI2319DS-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SI2319DS-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 82mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 750mW (Ta) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 17nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 470pF @ 20V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1500 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.73 | $0.72 | $0.70 |
Minimale: 1
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