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SI1402DH-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI1402DH-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 950mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-6 (SOT-363)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 87 pcs

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