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SI1307DL-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI1307DL-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 290mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 850mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 63 pcs

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